欧盟节能硅发射器使用 III-V 族半导体量子点和量子点材料的异质集成（SEQUOIA）项目报道称在硅光子集成电路（PIC）上取得新进展。
从2013开始，SEQUOIA项目一直在开发具有较好的热稳定性、高调制带宽以及可能产生平面波分复用蜂窝的混合 III-V激光器。
通过使用硅衬底纳米结构异质集成材料，光学滤波器可以直接与异质量子点/量子簇/硅激光器集成制备出线性调频激光器。与直接调制激光器相比，该激光器有一个增强的调制带宽和消光比。作为该技术的一个例子，目的是开发一个总容量400Gbps发射机（16x25Gbps）。
在该项目的第一个阶段，量子点/量子簇材料质量有了明显的提高，卡塞尔大学最近展示了直接调制比特率达 34Gbps的量子点激光器，创造了新记录。同时，量子点晶片成功地结合到硅晶片上。
两种 PIC 最终示范产品也设计完成，分别是直接调制比特率达 25Gbps 的线性调频激光器和与级联环谐振器调节器集成为一体的光梳子雷射。这些PIC使用16波分复用信道便可提供 400Gbps的总容量，以更低的成本提供更好的性能，并通过采用新材料和新集成工艺增强器件性能。
该项目由 III-V 族实验室领导，该实验室在 InP 基光子学和硅基 III-V族混合集成方面有精湛的专业知识。另外两个德合作伙伴是总部位于多特蒙德的 innolume公司和卡塞尔大学内，这两个单位在材料和 III-V光电研究方面都创纪录成果。其他合作伙伴有法国电子与信息技术实验室；丹麦技术大学光子工程学院；法国雷恩大学福田实验室。
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