混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与成熟的硅制造技术相结合。这些激光器引起了相当大的关注，因为它们可以将光子和微电子元件集成在一个单一的硅芯片，获得价格低廉、可批量生产的光学器件。它们具有广泛的应用前景，从短距离数据通信到高速、长距离光传输。

然而，在目前的生产过程中，在单独的III-V半导体晶片上制造激光器，然后将其单独对准每个硅器件——这是耗时又昂贵的工艺，限制了芯片上激光器的数量。为了克服这些局限性，来自A*STAR数据存储研究所的Doris Keh-Ting Ng及其同事开发了一种用于生产混合III-V半导体和绝缘体上硅薄膜（SOI）光学微腔的创新方法。这大大降低了制造工艺的复杂性，使器件结构更加紧凑。

500nm直径微盘的斜角扫描电子显微镜图像。图片由A*STAR数据存储研究所提供

“蚀刻整个腔体是非常有挑战性的，”Ng说。“目前，没有一个单一的蚀刻配方和掩模，允许能在整个微腔蚀刻，所以我们决定开发一种新的方法。”

通过首先使用SOI层间热键合工艺将III-V半导体薄膜附着到氧化硅（SiO2）晶片上，它们产生很强的键合，消除了对氧化剂如食人鱼刻蚀液或氢氟酸的需要。而且通过使用双硬掩模技术来蚀刻到预期层的微腔，他们消除了使用多重覆盖光刻和蚀刻周期的要求——这是一个具有挑战性的过程。

Ng解释说：“我们的方法减少了制造步骤数，减少了危险化学品的使用，并且整个过程只需要一个光刻步骤来完成。”

该工作首次引入了一种新的异质核配置和集成制造工艺，它将低温SiO2层间键合与双硬掩模、单光刻图案结合起来。

Ng说：“这一过程不仅能制造出异质核器件，而且大大减少了制造工艺的难度，并且可以作为研究领域的另一种混合微腔使用。”