自从中兴被制裁,华为限制芯片出口,国内芯片产业链迎来蓬勃发展期。尤其是华为旗下的哈勃科技投资有限公司,频繁出手投资潜力企业,虽然主要以晶元加工为主,但仍旧涉及部分激光芯片企业。
2022年4月1日,哈勃投资持有506.50万股的长光华芯(688048)登陆科创板,但是随后低走,截至2022年5月19日收盘,股价收于78.12元每股,低于发行价80.80元每股。
从产业层面看,迫切需要建立自己的芯片产业链的华为,旗下全资子公司哈勃投资买入长光华芯,足以证明长光华芯拥有领先业界的实力,但成功上市后,长光华芯却不被市场认可,终究是华为错了,还是市场认知偏差?
高功率激光芯片龙头
成立于2012年的长光华芯,主要产品包括高功率单管系列、高功率巴条系列、高效率VCSEL系列及光通信芯片系列等。
经过10年的发展,长光华芯产品涵盖半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器四大类,广泛用于光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、国家战略高技术、科学研究等领域。
公司依托高功率半导体激光芯片(边发射EEL)优势,向面发射VCSEL芯片扩展,从GaAs材料体系扩展至InP材料体系,横向拓展了高效率VCSEL激光芯片,和高速光通信芯片两大产品平台。
现如今,长光华芯半导体激光芯片板块,已经实现一体化布局,公司近年来不断向光纤激光器、科研及特殊应用等下游器件、模块及直接半导体激光器延伸,分别对应单管系列及巴条系列产品。
2021年公司高功率单管、巴条系列分别实现营业收入3.61、0.56亿元,分别占营业收入比例为84.1%、13.1%。
2021年,长光华芯VCSEL系列产品实现小批量量产,实现营业收入820万元。预计2022年实现批量量产,产品主要应用于消费电子及车载激光雷达领域。
在芯片生产环节,公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻)、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台,是全球第二、国内唯一拥有6寸量产线的厂商。
长光华芯主业飞速发展,除了成立以来的技术积累,和各大股东的产业扶持,还和2018年的一个重大的产业发展拐点有关。
推动国产化替代进程
2018年,海外禁止向国内出口单管15W以上、巴条100W以上高功率半导体激光芯片,拉开了高功率半导体激光芯片国产化序幕。
2019年,长光华芯成为国内第一家量产单管15W高功率半导体激光芯片公司。一年后,长光华芯技术突破带动产品性能持续提升,终于在2020年实现单管18W、25W高功率激光芯片量产。
2021年,公司又实现30W高功率半导体单管芯片量产,产品性能在国内处于绝对领先,对标甚至超过国外产品。
随着高功率半导体激光芯片技术不断突破、产品良率持续提升,公司在下游客户份额将快速提升,业绩也将加速增长。这主要是因为产品良率上升,会极大程度节省成本支出以及时间成本,从而提升产线利用率。
2021年,长光华芯整体毛利率,由2020年的31.35%大幅提升至52.82%,高功率单管芯片毛利率,由2020年的60.46%提升至2021年上半年的67.58%,毛利率较高的单管芯片产品,2021年收入翻倍增长。
在毛利率稳定提升的背景下,长光华芯借助登陆科创板募资扩产,公司“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)及光通讯激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”达产后,总产值为14.56亿元,有机构据此预测,如果长光华芯今年二季度一期产能投产,公司半导体激光芯片产能将提升5-10倍。
由此可见,长光华芯今天的业务布局,基本上是在2019年的基础上演进出来的,对于整个国产芯片产业链而言,2018年着实是个不可多得的时间拐点,让整个产业链企业明白掌握核心技术才能保证企业健康发展。
产品具有较强市场竞争力
长光华芯自2012年开始坚定扎根半导体激光芯片领域,华为旗下哈勃投资又愿意持有该公司超500万股股份,主要和长光华芯所处的行业具有极高的门槛有关,且公司处于整个产业链的上游,并具备可实现国产替代的产品,与国内同业企业相比,产品具有较强竞争力。
长光华芯主营的半导体激光芯片产品,属于半导体激光器的核心部件。下游应用包括各类激光器的应用,包括工业加工装备、激光雷达、光通信、医疗美容等领域,以及工业激光器领域。
根据 Laser Focus World预计,2021 年全球激光器市场规模为 184.8 亿美元,同比 15.4%。其中,中国是全球最大的应用市场。根据Laser Focus World数据,2020年中国激光器市场规模为109.1亿美元,占全球激光器市场66.12%的份额。
国内下游应用领域方面,根据《2020年中国激光产业发展报告》,材料加工与光刻市场、通信与光存储市场、科研与军事市场、医疗与美容市场、仪器与传感器领域、娱乐显示与打印市场分别占比40.94%、27.02%、12.02%、9.03%、8.01%、2.99%。
长光华芯在国内高功率半导体激光芯片领域处于领先地位,产品性能对标海外头部厂商,甚至已经实现超越。在单管芯片方面,190-230μm条宽范围内,公司目前高功率单管芯片输出功率最高达30W、电光转换效率达到63.00%、波长涵盖808、880、915、976nm。
巴条芯片方面,在100μm条宽附近,公司高功率巴条芯片可实现100W连续激光输出及300W准连续激光输出;在200μm条宽附近,公司高功率巴条芯片可实现200W连续激光输出及700W准连续激光输出,电光转换效率最大可达63%。
伴随长光华芯在高功率半导体激光芯片领域持续突破,公司目前商业化单管芯片输出功率达到30W,巴条芯片连续输出功率达到250W(CW),准连续输出1000W(QCW),产品性能与国外先进水平同步,打破国外技术封锁和芯片禁运,逐步实现半导体激光芯片的国产化及进口替代。
展望未来,伴随长光华芯新建产能逐步落地,公司激光芯片产品市占率有望进一步提升,这对增厚公司业绩大有裨益。
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