高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件，其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代，商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点，代表了芯片综合技术能力的发展水平。

近日，长光华芯超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100W（芯片条宽 500μm），工作效率 62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元！

500μm 发光宽度芯片的功率效率曲线

1月30日至2月1日，长光华芯携带高功率技术首次亮相美国旧金山2024 SPIE Photonics West光电展。届时，长光华芯高功率半导体激光芯片、激光雷达与3D传感芯片、高速光通信芯片、光纤耦合模块、阵列、直接半导体激光器等全系列产品也将在#2367展位展出！

长光华芯专注于研发和生产半导体激光芯片，核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题，建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD（外延）、FAB晶圆流片、解理/镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一，有力推动了我国超高功率激光技术及其应用的快速发展。

长光华芯IDM全流程工艺平台和量产线