因开发蓝色LED而获得2014年诺贝尔物理学奖的美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）教授中村修二，在2015年7月24日于东京举行的研讨会“GaN掀起能源革命”上发表演讲，说出了上面那句话。中村强调，通过在发光层采用InGaN（氮化铟镓）的“双异质结构造”，才实现了达到实用水平亮度的蓝色LED。
中村介绍称，在利用InGaN双异质结构造来提高蓝色LED的亮度之前，蓝色LED必须将GaN晶体内被称作“位错”的晶体缺陷的密度减少至103个/cm2的程度才能提高亮度。而采用InGaN双异质结构造之后，位错密度即便高达109个/cm2的程度，也能高亮度发光。InGaN的这一特性对于实现蓝色LED，以及之后的蓝紫色半导体激光器、蓝色半导体激光器都作出了贡献，因此中村将其评价为“奇迹般的材料”。
关于InGaN在晶体缺陷较多时也能高亮度发光的原因，中村称“与In的局域效应有关”，并提到了日本东北大学教授秩父重英（发布研究成果时任职于筑波大学）的研究成果。
中村指出，虽然InGaN在高亮度蓝色LED的实现中起到了重要作用，但很少有报道宣传这种材料的重要性。中村还对日本媒体报道2014年诺贝尔物理学奖获奖消息时的表述方式提出了质疑，他说，“不仅是日本的电视及报纸等媒体，就连日本的学术杂志及专业杂志也都说是‘赤崎和天野开发出了蓝色LED，中村成功实现了蓝色LED的量产化’。在诺贝尔基金会的发布资料中，并没有这样的内容，我并非只是做了量产化方面的工作。报道有失偏颇，令人非常遗憾”。
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