2-3微米波段半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学检查等方面具有重要的应用。InP衬底上不含锑量子阱激光器与GaSb基含锑量子阱激光器相比具有工艺成熟稳定、热导率高、衬底价格低、质量好、易获得等优点。

　　中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室化合物半导体方向的研究人员通过在InP衬底上采用气态源分子束外延方法生长高质量的异变缓冲层，并在其上构筑不含锑的InAs多量子阱结构，成功研制出激射波长达2.7微米的激光器，这是目前国际上InP基不含锑量子阱激光器所能实现的最长激射波长。该工作已在Applied Physics Letters上发表，并引起国际上的广泛关注，半导体领域知名杂志Semiconductor Today也对此作了专题报道。