激光划片是利用高能激光束照射在工件表面,使被照射区域局部熔化、气化、从而达到划片的目的。激光划片机主要用于金属材料及硅、锗、砷化镓和其他半导体衬底材料划片和切割,可加工太阳能电池板、硅片、陶瓷片、铝箔片等,工件精细美观,切边光滑。
然而传统的划片都是通过划片砂轮的高速旋转研磨来完成对Si片的切断，这种切割方法必然要伴随冷却和清洗的较高压力的水流、划片刀和Si片接触产生的压力和扭力、以及切割下来的Si屑对Si片本身造成的污染，而这几点都对MEMS产品造成了致命的威胁。
随着科技的发展，越来越多的新技术应用到半导体制造设备中来，特别是激光划片技术的成熟应用，促成了MEMS划片工艺的技术飞跃，提高了产品的成品率，简化了制造流程，降低了MEMS制造的成本。在当前的技术条件下，激光切割技术主要有湿式和干式两种。
那么讲到激光划片机技术我们先了解激光划片技术。该技术是生产集成电路的关键技术，其划线细、精度高(线宽为15-25μm，槽深5-200μm)、加工速度快(可达200mm/s)，成品率达99.5%以上。集成电路生产过程中，在一块基片上要制备上千个电路，在封装前要把它们分割成单个管芯。传统的方法是用金刚石砂轮切割，硅片表面因受机械力而产生辐射状裂纹。用激光划线技术进行划片，把激光束聚焦在硅片表面，产生高温使材料汽化而形成沟槽。
通过调节脉冲重叠量可精确控制刻槽深度，使硅片很容易沿沟槽整齐断开，也可进行多次割划而直接切开。由于激光被聚焦成极小的光斑，热影响区极小，切划50μm深的沟槽时，在沟槽边25μm的地方温升不会影响有源器件的性能。激光划片是非接触加工，硅片不会受机械力而产生裂纹。因此可以达到提高硅片利用率、成品率高和切割质量好的目的。还可用于单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池的划片以及硅、锗、砷化稼和其他半导体衬底材料的划片与切割。
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