三星砸54亿美元、7纳米提前建厂

三星电子决定提前兴建南韩华城的18号线，提高竞争力抢单。

据韩媒报导，三星华城厂的18号线原定明年动工，如今三星决定提前至今年11月破土。18号线的建筑面积为40536平方公尺，总楼面面积为298114平方公尺。投资金额为6兆韩圜(54亿美元)，预定2019年下半完工，生产存储器以外的半导体产品。

华城厂为综合晶圆厂，生产DRAM、3D NAND flash、系统半导体等。18线将装设数十台先进晶圆代工所需的极紫外光(EUV)微影机台。三星提前施工，显示该公司有意强化晶圆代工竞争力。三星今年把晶圆代工部门独立出来，大举投资，并放话抢市。

据报导，南韩三星电子副社长、担任5月份新设立的晶圆代工事业部负责人的E.S.Jung 24日接受专访时表示，除了大型企业之外、也将抢攻中小型客户，目标在5年以内将晶圆代工市场份额扩增至现行的3倍、提高至25%的水准。Jung指出，“希望能成为晶圆代工市场上强大的第2把交椅”。

据韩联社报导，三星晶圆代工共有三个厂区，S1厂在南韩器兴(Giheung)、S2厂在美国德州奥斯汀、S3在南韩华城(Hwaseong)。S3预定今年底启用，将生产7、8、10纳米制程晶圆。

去年底数据显示，全球晶圆代工龙头是台积电、联电排名第二、美国格罗方德(Global Foundry)名列第三、三星电子虽是小四，但是正急起直追。IHS Market数据显示，2016年三星晶圆代工营收为45.18亿美元，较2015年大增78.6%。

韩媒报导，6月三星电子将斥资10亿美元投资德州奥斯汀厂，该厂房负责制造用于移动设备的系统单芯片(SoC)等。PhoneArena消息显示，奥斯汀厂是苹果A系列处理器的重要生产基地。

三星同时公布了晶圆代工的发展路径，当前主力为第二代10纳米FinFET，今年准备进一步研发8纳米，2018年进入7纳米，2020年转入4纳米。据传三星将跳级研发6纳米制程，预定2019年量产。

半导体业界透露，三星提前动土，也要用最先进的设备，切入7nm以下制程，全力抢食逻辑芯片代工订单，而且目标直指台积电大客户苹果的下世代A12处理器。

消息指出，三星可能挟掌握全球超过九成以上OLED面板产能的优势，逼迫苹果调整代工策略，将A12部分订单交给三星，但这部分未获三星高层证实。三星将晶圆代工成立事业部后，曾宣示要在五年内将晶圆代工市占率扩增至现行的三倍，提高至25%的水平。

产业分析师指出，目前台积电7nm制程至少已有12个移动设备产品设计定案，还有从三星抢回来的高通订单，在7nm战役至少还领先三星一至二年以上。

台积电为回击三星在7nm全数导入极紫外光（EUV）作为曝光利器，也决定在7nm强化版提供EUV解决方案，巩固客户。这项制程并订2019年下半年量产，和三星进度相近。

此外，台积电在5nm制程将全数导入EUV，目前5nm生产重镇规划在南科，相关建厂作业已经展开，预定2020年量产。

台积电董事长张忠谋曾说过，对竞争对手英特尔与三星，一直列为雷达上的劲敌。因此，内部高度警戒，绝不让三星有任何见缝插针的机会，尤其防止机密外泄比以前更严密。

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