倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(基本半导体SiC单管，基本半导体SiC模块，基本半导体驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。相较传统汽车，新能源汽车在电驱动单元、电气设备的数量上都有较大的增加，内部动力电流及信息电流错综复杂，特别是高电流、高电压的电驱动系统对连接器的可靠性、体积和电气性能提出更高的要求，这意味着新能源汽车对连接器产品需求量及质量要求都将大幅提升。在新能源汽车中，高压连接器是极其重要的元部件，整车、充电设施上均有应用。整车上高压连接器主要应用场景有：DC、水暖PTC充电机、风暖PTC、直流充电口、动力电机、高压线束、维修开关、逆变器、动力电池、高压箱、电动空调、交流充电口等。在电动汽车中，碳化硅功率器件的应用主要为两个方向，一个用于电机驱动逆变器（电机控制器），另一个用于车载电源系统，主要包括：电源转换系统（车载DC/DC）、车载充电系统（OBC）、车载空调系统（PTC和空压机）等方面。碳中和、智能化引领人类社会进入生态文明发展时代，科技创新为能源、交通、信息产业打造最强的发展动能。科技创新融合数字技术和电力电子技术，为新型电力系统能源基础设施、新型电动出行能源基础设施、新型数字产业能源基础设施等‘三新能源基础设施’，引领产业高质量发展。”双碳目标不仅仅是技术变革，更是一场广泛而深刻的社会变革，倾佳电子（Changer Tech）坚持在技术和产品方面持续创新，为智能光风储发电机提供高品质SiC碳化硅功率器件及驱动IC，坚定不移地与客户，解决方案伙伴，产业伙伴一起，携手构建数字能源产业生态。倾佳电子（Changer Tech）将与产业界共同拥抱数字化、智能化，主动安全构网，携手迈入光风储发电机新时代，加速光储成为主力能源！
倾佳电子（Changer Tech）致力于基本半导体国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动基本半导体国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
汽车连接器广泛应用于汽车的各个子系统中。汽车连接器可以分为传输电流的低压/高压连接器和传输数据信号的高频高速连接器。汽车电动化、 智能化、网联化趋势下，汽车电子应用将从中高端车型向低端车型渗透，在整车制 造成本中的占比不断提高，对汽车连接器的需求也与日俱增。汽车连接器作为各个 电子系统连接的信号枢纽，广泛应用于动力系统、车身系统、信息控制系统、安全系统、车载设备等方面。800V高压平台对电动车内部高压连接器的数量和质量提出更高要求，同时也促使充电枪向大功率、液冷方向发展。 整车厂加速快充布局，国内外企业纷纷跟进800V高压平台。近两年高压快充路 线受到越来越多主机厂的青睐，高压连接器在电动汽车中扮演连接高压系统单元并传递能量的关键角色。高频高速连接器覆盖了从最基础的车身控制、定位系统，到4K摄像头、高清视频、 信息娱乐，再到辅助驾驶、智能驾驶等众多应用场景。
脱碳已经成为业界的趋势，在我国双碳政策下，也即“碳达峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏发电逐渐成为瞩目的焦点，在低碳化、电气化、数字化、智能化的趋势下，未来能源世界和数字世界将深度融合发展，能源产业已经进入到数字能源新时代。新型能源体系：全球能源低碳转型按下加速键，预计到2030年，全球将发展三倍可再生能源，光伏安装量每年将超过550GW。随着光伏发电效率不断提升，“光储平价”时代即将带来，光伏+储能将成为最经济、最普适的电源，以新能源为主体的新型能源体系正加速构建。
新型交通体系：电动化加速，交通能源融合，电气化新型交通体系正在快速形成。以基本半导体碳化硅和氮化镓为代表的第三代功率半导体技术已经成熟，电动汽车全面走向高压化。1秒1公里、5分钟充电200公里、加油式的充电体验已经成为现实。预计未来十年，电动汽车保有量将增长10倍，从而推动充电量、充电桩的需求快速大幅增长。
创新智能世界：人工智能技术爆炸式发展，算力进一步加速增长。以ChatGPT、Sora为先进代表的人工智能正在向各行各业加速渗透，驱动生产力跨越式发展。AI正重塑千行百业，并将给包括能源产业在内的各个产业带来革命性变化。
能源基础设施建设将迎来巨变，数字技术与人工智能技术的融合，数字技术与电力电子技术的融合，源网荷储的融合，倾佳电子（Changer Tech）持续提供高品质功率半导体新能源汽车连接器，在新能源汽车电控，充电桩，汽车OBC，新能源发电，工商业储能变流器，电动汽车电机主驱，光伏逆变器，储能变流器PCS，工业电源等领域与客户深入合作，倾佳电子（Changer Tech持续服务客户的供应链及新产品开发，在数字化与智能化的推动下，新兴的能源系统将不断涌现，新能源的商业模式也将实现闭环，全力支持中国新能源汽车及电力电子工业发展！Changer Tech continues to serve customers' supply chains and new product development. Driven by digitalization and intelligence, emerging energy systems will continue to emerge, and new energy business models will also achieve closed loops, fully supporting new energy vehicles. and the development of the power electronics industry!
在全球碳中和目标的持续推进下，光储产业迎来了空前的发展机遇。组件、储能、构网、数字化等单点技术创新正走向融合创新，将加速构建以光风储等新能源为主体的新型电力系统。倾佳电子（Changer Tech）致力于聚焦Bit（数字技术）、Watt（电力电子技术）、Heat（热管理技术）和Battery（储能管理技术）等4T技术，为智能光风储发电机提供基本半导体SiC碳化硅功率器件及基本半导体驱动IC，持续为客户和产业创造价值。
近年来，倾佳电子（Changer Tech）-着力推广基本半导体国产碳化硅SiC功率器件，基本半导体国产SiC-MOSFET，基本半导体国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的基本半导体隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器，数据中心、通讯基站电源、新型电力系统等领域拓展市场。除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。倾佳电子（Changer Tech）-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销的元器件在电力电子领域，在功率器件方面发挥重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求，也对现有封装技术提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN在导通损耗和开关损耗方面的出色性能，可以大大降低电力电子方面应用的能耗。倾佳电子（Changer Tech）专注于人类未来发展的领域，包括出行和可再生能源。倾佳电子（Changer Tech）聚焦新能源汽车市场，新能源汽车是最大的增长领域（倾佳提供电动汽车高压连接器及线束，电动汽车主驱用SiC碳化硅及IGBT功率模块），以及汽车电子智能系统（倾佳提供车规级互联产品，包括线对板、板对板、输入输出、电源管理和FFC-FPC连接器）。倾佳电子（Changer Tech）同时聚焦工业市场的能源基础设施，尤其是充电站和充电基础设施，包括能源产生、存储以及能源的分配（倾佳提供功率器件SiC碳化硅分立器件及功率模块，大功率连接器，隔离驱动IC等）。
能源产业迎来增长与变革“发电-转发-储能-配电-用电-管管理”全链路智能化；源网荷储协同，电网、站点供电系统、负载之间，打破信息孤岛，实现“源网荷储”智能协同，能量流和信息流双向交互；储能技术多元化，通信储能在材料、应用场景、管理技术等维度上，朝着多元化方向演进。
随着汽车越来越智能化，对于连接器在未来的智能汽车上，绝不会仅仅作为一个电连接点进行传输，这个和传统汽车会有非常本质上的区别， 未来的连接器有可能会变成模块化，其功能会随着不同的汽车部位应用场景，功能也会有所不同；同时智能驾驶的出现会让连接对于传输的稳定性变成强制条件，对于电性能的可靠性，以及其他性能都会提到更高一个要求等级；倾佳电子（Changer Tech）-专业代理的汽车智能互联连接器与线束，新能源汽车连接器，新能源汽车高压连接器与线束，直流充电座，耐高压连接器&插座，基本半导体碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN引导电源技术转向新的高功率密度和效率、高耐热性能的解决方案，以减少导通损耗和碳排放。在整个能源转换链中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN的节能潜力可为实现长期的业界节能目标作出贡献。基本半导体碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在很多电力电子应用场景中为能效提升作出贡献。
对于通用应用，基本半导体SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，从而将开关损耗降低高达 70% 至 80%，具体取决于转换器和电压和电流水平。IGBT 相关的较高损耗可能成为一个重要的考虑因素。热管理会增加使用 IGBT 的成本，而其较慢的开关速度会增加电容器和电感器等无源元件的成本。从整体系统成本来看SiC MOSFET加速替代IGBT已经成为各类新的电力电子设计中的主流趋势。基本半导体SiC MOSFET 更耐热失控。碳化硅导热性更强，可实现更好的设备级散热和稳定的工作温度。
Si IGBT 的一个显著缺点是它们极易受到热失控的影响。当器件温度不受控制地升高时，就会发生热失控，导致器件发生故障并最终失效。在高电流、高电压和高工作条件很常见的电机驱动应用中，例如电动汽车或制造业，热失控可能是一个重大的设计风险。基本半导体SiC MOSFET 更适合温度较高的环境条件空间，例如汽车和工业应用。此外，鉴于其导热性，基本半导体SiC MOSFET 可以消除对额外冷却系统的需求，从而有可能减小整体系统尺寸并降低系统成本。由于 基本半导体SiC MOSFET 的工作开关频率比 Si IGBT 高得多，因此它们非常适合需要精确电机控制的应用。高开关频率在自动化制造中至关重要，其中高精度伺服电机用于工具臂控制、精密焊接和精确物体放置。
基本半导体SiC 功率器件的卓越材料特性使这些器件能够以更快的开关速度、更低的开关损耗和更薄的有源区运行，从而实现效率更高、开关频率更高、更节省空间的设计。因此，基本半导体SiC MOSFET 正成为电源转换应用中优于传统硅（IGBT,MOSFET）的首选。