长春国科精密光学技术有限公司、科技部原副部长、02专项光刻机工程指挥部组长曹健林在分享专项进展时表示，目前90纳米检测已经达到要求，希望未来五年内应可顺利验收完成。

2007年正式启动90纳米节点曝光光学系统立项，2009年项目获批，国产光刻机物镜系统由长春光学精密机械与物理研究所、应用光学国家重点实验室负责；照明系统由中国科学院上海光学精密机械研究所，两个团队所共同负责，专项一期项目投入近6亿元。专项目标是建立物镜超精密光学研发团队与平台，并实现产业化满足IC生产线的批量生产要求。

曹健林称，光刻机的研发过程严格按照里程碑节点进行控制与设计，并建立综合设计、加工、镀膜、装配、测试、装调全工艺过程的像质预测模型。2015年7月已经完成装配，其后展开物镜测试台的精度提升工作；2016年9月物镜系统已经交付，整个大硅片都已经进行分布式测量；2017年7月首次曝光成功；2017年10月曝光光学系统在整机环境下通过验收测试。 

攻克“皇冠上明珠”朝28纳米迈进

曹健林进一步说，应该说国内半导体行业的关键材料与装备才刚刚起步，希望未来光刻机自主研发能攻克难关拿下这颗 “工业皇冠上的明珠”。他称，接下来项目还将继续推进攻克28纳米研发，规划两年后拿出工程样品，目前EUV的原理系统也已经“走通了”，预计明年主攻EUV 53波长机台。 

清华大学微电子研究所所长魏少军则也分析表示，过去十年，中国保持比国际同行更高的发展速度，而且稳步提升发展质量，这才是关键。

随着02专项的支持，国内重大装备于2016年国产装备销售已达32亿元人民币。 他也提个醒，尽管不可否认中国半导体行业的快速发展取得瞩目，但在肯定自身进步的同时，也要看见自己仍存在的差距。他举例，以当前集成电路每年约进口两千亿元来细看，其中主要以微处理器、存储器就约占了1500亿，这两个部分也恰恰是中国目前自身还做不到的。

随着02专项的支持，有些重大装备已经取得突破。但他指出当前面对中国集成电路发展，应该“正确理解中国集成电路产业存在差距”。