简历：中国科学院院士，南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。历任国家重点基础研究发展计划（973计划）信息领域专家咨询组副组长、国家863计划光电子主题专家组专家、国家自然科学基金委信息科学部专家咨询委员会委员，现兼任中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会主任、科技部"第三代半导体材料"顾问专家组组长、国家第三代半导体产业技术创新战略联盟名誉理事长及技术委员会主、国家半导体照明研发及产业联盟指导委员会委员。还兼任8个国家或省部级重点实验室学术委员会任主任或委员、11个学术期刊编委以及6个国际学术会议顾问委员会或程序委员会委员。长期致力于半导体材料与器件物理研究，近年来主要从事宽禁带半导体材料与器件研究。获国家自然科学二等奖、国家技术发明二等奖和三等奖各一项、江苏省科技进步一等奖2项、教育部自然科学一等奖2项以及其它省部级科技进步奖 7 项，还获光华科技基金一等奖和江苏省人才培养教学成果一等奖。

摘要：近些年来、半导体科学技术研究取得了诸多重大新进展，其中最引人注目的是上个世纪九十年代后期GaN和SiC宽禁带半导体材料研究的突破，开拓创新发展了新一代半导体技术，即“宽禁带半导体技术”。 由于这种宽禁带半导体技术不同于以Ge、Si元素半导体为代表的第一代半导体技术和以GaAs、InP化合物半导体为代表的第二代半导体技术，因此又被称作为“第三代半导体技术”。基于GaN、SiC宽禁带半导体独特材料性能所发展起来的第三代半导体技术是一种具有极端电、光性能和能耐恶劣环境的“高能效低功耗半导体技术”，它有望突破第一代、第二代半导体在光电子技术、电力电子和射频功率电子等领域应用发展面临的材料物理极限，满足当代科学技术、经济社会发展的迫切需求，有力支撑应对能源与环境面临的严峻挑战、以互联网、物联网和人工智能为标志的新一代信息技术的可持续发展和现代高新技术及其产业发展的迫切需求，受到了世界各国高度重视，成为当前半导体相关科学技术领域研发的热点。

近年来，第三代半导体技术发展日新月异，并已形成了蓬勃发展的“高效固态光源”、“固态紫外探测”、“宽禁带电力电子”和“宽禁带射频功率电子”等领域的新兴产业，开拓了广泛应用，为当代科学技术、经济社会发展扮演了重要角色。本报告介绍基于GaN、SiC为代表发展起来的第三代半导体技术及其在现代科学技术中的应用现状和发展前景。

报告题目：第三代半导体及其在现代高科技中的应用