InGaAs和Ge光电二极管探测器都普遍应用于红外（近红外）波段。Newport提供各种可溯源NIST的InGaAs和Ge探测器（例如：低功率校准光电二极管探测器918D和818系列）。这些探测器的参数很相近，除了一些关键部分：如分流电阻和芯片电容。然而，这些差异导致了很大的性能和价格差异。
分流电阻
分流电阻最好是无限大，但是每个光电二极管有一个有限值，产生Johnson噪声，这个Johnson噪声跟分流电阻成反比。因此，为了最小化噪声，需要在测量系统中设计最大可能的电阻值。Ge和InGaAs有所不同，InGaAs探测器的分流电阻达到10MΩ量级，而Ge探测器的分流电阻在kΩ量级，小了若干个量级。因此，Ge探测器会比InGaAs探测器呈现出更高的噪声。
有效面积越大越好？
有些厂商的Ge探测器有效面积很大，但用户们需注意，更大的有效面积会导致更大的暗电流和更小的分流电阻，越小的分流电阻会引起更高的热噪声，越大的暗电流会引起更高的散粒噪声。Ge的暗电流比InGaAs的暗电流高很多，大的有效面积可能引入高噪声电流。Newport的Ge探测器的有效面积为3mm，相比于5mm的二极管，如果其他都相同，3mm二极管的分流电阻值会大3倍，而暗电流则小3倍。
Newport 918D/818系列InGaAs和Ge探测器的参数对比
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