转载请注明出处。
今日要闻
“低维半导体异质结构材料及激光器研究”项目启动会在京召开
星之球科技 来源:科技部2016-11-24 我要评论(0 )
近日,2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项—“低维半导体异质结构材料及激光器研究”项目启动会在北京召开。项目牵头单位中国科学院半导体研究所相关领...
近日,2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项—“低维半导体异质结构材料及激光器研究”项目启动会在北京召开。项目牵头单位中国科学院半导体研究所相关领导、项目负责人及各课题负责人、项目咨询专家、科技部高技术中心相关人员等40余人参加了会议。
“低维半导体异质结构材料及激光器研究”项目旨在面向国家信息技术领域对战略性高端光电子材料和器件的迫切需求,以实现低能耗、高带宽的接入网/传输网、光互联及空间通信应用的高性能低维半导体异质结构材料和激光光源为目标,最终实现基于低维半导体异质结构材料的高性能半导体激光光源。
会上,科技部高技术研究发展中心相关人员介绍了“战略性先进电子材料”重点专项2016年度部署和立项情况、专项管理规则流程以及执行过程中常见的问题,对项目管理、质量管控、宣传、经费使用以及咨询专家职能等方面提出了新的要求和建议。半导体所副所长陈宏达研究员介绍了半导体所在承担科技部重点研发计划项目等方面的情况,并表示将积极协调好项目的组织实施、经费管理和支撑保障工作,确保项目各项任务目标圆满完成。
项目负责人杨涛研究员详细介绍了项目的总体情况、各课题的研究方向和预期目标,落实了各课题参加单位的具体任务,对项目组内部沟通协调、经费使用与管理、成果产业化、人才的培养等方面进行了部署。项目咨询专家就项目与课题的具体实施方案提出了意见和建议。
免责声明
① 凡本网未注明其他出处的作品,版权均属于激光制造网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。获本网授权使用作品的,应在授权范围内使
用,并注明"来源:激光制造网”。违反上述声明者,本网将追究其相关责任。
② 凡本网注明其他来源的作品及图片,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本媒赞同其观点和对其真实性负责,版权归原作者所有,如有侵权请联系我们删除。
③ 任何单位或个人认为本网内容可能涉嫌侵犯其合法权益,请及时向本网提出书面权利通知,并提供身份证明、权属证明、具体链接(URL)及详细侵权情况证明。本网在收到上述法律文件后,将会依法尽快移除相关涉嫌侵权的内容。
网友点评
0 条相关评论
热门资讯
精彩导读
关注我们
关注微信公众号,获取更多服务与精彩内容