2018年7月30日,武汉锐晶激光芯片技术有限公司“高功率半导体激光器芯片”项目通过省级科技成果鉴定。
鉴定组专家一致认为,该项技术成果在芯片设计、MOCVD外延生长、芯片制作及腔面镀膜等核心技术实现突破,拥有自主知识产权,实现了高功率半导体激光器芯片的国产化配套,项目技术成果达到国际先进水平,产品可替代进口,所研制的915nm、976nm四种型号产品已为武汉锐科激光技术股份有限公司供货,后续推广应用前景广阔,经济和社会效益巨大。
转载请注明出处。
cici 来源:锐晶激光2018-08-24 我要评论(0 )
2018年7月30日,武汉锐晶激光芯片技术有限公司高功率半导体激光器芯片项目通过省级科技成果鉴定。鉴定组专家一致认为,该项技术
2018年7月30日,武汉锐晶激光芯片技术有限公司“高功率半导体激光器芯片”项目通过省级科技成果鉴定。
鉴定组专家一致认为,该项技术成果在芯片设计、MOCVD外延生长、芯片制作及腔面镀膜等核心技术实现突破,拥有自主知识产权,实现了高功率半导体激光器芯片的国产化配套,项目技术成果达到国际先进水平,产品可替代进口,所研制的915nm、976nm四种型号产品已为武汉锐科激光技术股份有限公司供货,后续推广应用前景广阔,经济和社会效益巨大。
转载请注明出处。
① 凡本网未注明其他出处的作品,版权均属于激光制造网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。获本网授权使用作品的,应在授权范围内使
用,并注明"来源:激光制造网”。违反上述声明者,本网将追究其相关责任。
② 凡本网注明其他来源的作品及图片,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本媒赞同其观点和对其真实性负责,版权归原作者所有,如有侵权请联系我们删除。
③ 任何单位或个人认为本网内容可能涉嫌侵犯其合法权益,请及时向本网提出书面权利通知,并提供身份证明、权属证明、具体链接(URL)及详细侵权情况证明。本网在收到上述法律文件后,将会依法尽快移除相关涉嫌侵权的内容。