昨（19）日，微源光子（深圳）科技有限公司发生工商变更，新增华为关联公司 深圳哈勃科技投资合伙企业 (有限合伙) 为股东，同时公司注册资本由84.93万元人民币增加至90.82万元人民币，增幅6.93%。

Source：企查查

此前，小米关联公司海南极目创业投资有限公司已入股该公司，持股6.48%。

企查查信息显示，该公司成立于2018年，经营范围包含：混合集成电路、片式元器件、光电子器件及传感器等新型电子元器件的技术开发等。

公开资料显示，微源光子专注于高性能激光器芯片及配套光电模组的研发、生产，核心技术拥有自主知识产权，产品技术在国内有唯一性。据智慧芽数据显示，微源光子主要专注于激光器、窄线宽、增益芯片、光子芯片、激光雷达等技术领域。

华为、小米扩大激光雷达投资版图！

此前，华为哈勃就投资过长光华芯、源杰半导体等激光芯片厂商。其中长光华芯已于4月1日正式登陆科创板。

实际上，早在2016年，华为就开始布局激光雷达市场，进军汽车芯片领域。

2020年11月，T10 ICV CTO峰会上，华为首次面向行业正式发布了其车规级高性能激光雷达产品和解决方案。

小米方面，截止目前，小米系资本投资了四家公司，顺为资本投资了北醒光子和图达通；小米长江产业基金投资了力策科技，小米集团投资了禾赛科技。

随着汽车朝着智能化的快速发展，自动驾驶概念火热。而雷达在汽车自动驾驶中扮演着重要的角色，其中激光雷达的性能尤为突出。

激光雷达通过激光束能够精准地探测目标的位置、速度、和方向等，在汽车上应用可高效的感知周边三维空间的实时信息。同时，激光雷达的探测精度达到了厘米级，且工作性能受环境干扰较小，大幅提升了自动驾驶的行车安全。车载激光雷达已成车企必争之地。

氮化镓进入激光雷达市场

激光雷达的激光器是由专门设计的电路所驱动的，它能够在短时间内提供大量电流。普通的驱动器是由一个与激光器串联、充当电流开关的元件所构成。在实际的系统中，传统的Si器件（例如MOSFET）无法实现激光驱动器的高性能输出，其图像获取速度慢且较为模糊。

为了增强控制并提升相应性能，MOSFET的沟道必须足够大，这会增加寄生电容的充电时间，从而导致开关频率太低而不满足应用所需。此外，散热管理要达到良好的效果，就需要使用大体积、大重量的散热器，这使得激光雷达发展一度受阻。

近年来，极具成本效益的第三代半导体GaN技术陆续商用化，其优越的性能可以更快地触发激光信号，让自动驾驶汽车看得更远、更快速、更清晰。

与Si MOSFET器件相比，

GaN FET在LiDAR应用中具备多种优势

（1）与具有相同额定电流的Si MOSFET器件相比，这些GaN器件的输入电容CISS低出10倍，从而使得GaN FET的开启速度更快；

（2）GaN FET是一种横向器件，使用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）。WLCSP具有极低的电感、卓越的散热性能、高可靠性和最小的附加成本；

（3）GaN FET芯片的尺寸比具有相同电压和额定电流的Si MOSFET小得多，从而进一步降低了电感，并使得相邻的激光器的相互间距可以很窄，对于多种应用来说非常有利，例如适用于多通道的LiDAR应用。