国产光刻机核心技术再迎突破，哈工大成功研制出了高速超精密激光干涉仪，目前可用于350nm到28nm工艺的光刻机样机集成研制和性能测试，意味着我们离光刻机又近了一步。

要想发展半导体，光刻机是绕不过去的一个环节。早在2018年，中芯国际就预订了一台EUV光刻机，但一直没有到货。到2023年1月底，美国联合日本、荷兰签署“协议”，进一步阻止向我国出售DUV光刻机，企图在芯片制造设备这个环境打压中国半导体的发展，在光刻机这条道路上，可以说走得非常曲折。

从华为遭遇老美打压后，严重暴露出我国在高端芯片的短板，核心就是要解决光刻机问题。中科院院长白春礼：中科院将集结精锐力量组织系统攻关，有效解决一批“卡脖子”问题。光刻机便是其中的一项，在中科院的号召下，我国上海微电子坚持自主研发，立志突破光刻机核心技术。

目前在国产光刻机技术已有重大进展，根据媒体报道，在2022年，上海微电子在国产90nm光刻机已经取得了突破，在多重曝光技术，可以将芯片制程缩小到22nm。另外，上海微电子和国内多个厂商联合，多个核心技术突破消息频频传来。如华为公布了光刻机技术相关的专利；前方还有另一条好消息传来，上海微电子生产的首台2.5D/3D先进封装光刻机顺利交付并正式投入使用。

这是我国光刻机一项关键技术，采用这种激光干涉仪，才能满足掩膜工作台、硅片双工作台、物镜系统复杂的相对位置和姿态测量需求，保证光刻机的整体套刻精度，这对国产光刻机有什么意义呢？

这项技术解决我国高端装备发展和量子化计量基准等前沿研究的“卡脖子”问题。团队突破系列核心测量方法和工程化关键技术，该领域存在的测不准、测不精、测不快的核心难题将被彻底解决。

众所周知，EUV光刻机涉及10万个零部件，来自全球100多个国家，即使是荷兰阿斯兰也无法制造出光刻机所有的零部件，也需要从其他国家进口，完成光刻机的组装。所以说光刻机是一个十分精密复杂的设备。涉及光源、双工件台、物镜是光刻机的三大核心系统。目前在双工件台、物镜核心技术，我国早已突破，只剩下光源方面。

早在2021年，清华大学的研发团队发明了一种名为“稳态微聚束”（SSMB）的加速器光源，这种新型加速器光源能够实现大功率、高中频以及窄带宽辐射，它可以为光刻机的研发提供相关技术。其实，对于光源技术相信也即将迎来好消息。这也意味着，国产光刻机即将迎来突破。

可以说，我国在光刻机方面发展速度还是非常快的，阿斯麦曾多次发出预警：中国突破光刻机，只是时间问题。

在传统芯片产业上，我国已经取得了很多不错的成绩，光刻机需要突破，也一定会突破。在新的道路上，我国也走在世界的前列，无论在传统道路上还是借助新赛道一旦取得突破，美国就再也没有办法了。