8月31日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司发布了2023年半年度报告。报告显示，受经济增速放缓，激光器市场需要仍旧疲软，公司产品价格策略调整等影响，长光华芯上半年实现营业收入14,213.36万元，同比下降43.23%；归属于上市公司股东净利润-1,063.74万元，同比下降 117.97%。

长光华芯聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。

公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。

经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，长光华芯已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。

长光华芯产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视 觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。

长光华芯始终重视研发创新能力建设，持续加大对高功率芯片和模块、光通信产品、VCSEL产品、激光无线能量传输芯片、直接半导体激光器产品的投入，使产品保持创新性及领先性。

据了解，长光华芯上半年在以下各项产品的研发取得了进展，形成了自主的产品矩阵：

高功率半导体激光芯片从国产替代，到行业领先

2023年2月，基于在photonics west报道的芯片技术，长光华芯开发了更高功率芯片宽条宽半导体激光芯片，在业内首次推出最大功率超过66W的单管芯片（热沉温度为室温），芯片条宽290μm，最大效率超过70%，工作效率超过63%，这是迄今已知报道的条宽在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

上半年，长光华芯还推出了9XXnm 50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm 发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于 62%），现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。

另外，公司9XXnm光纤激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节约单瓦材料成本，为客户创造价值。

VCSEL应用不断拓展，市场规模预期增长

根据IMARC Group数据，2022年，全球垂直腔表面发射激光器（VCSEL）市场的规模达17亿美元，预计到2028年，该市场规模将达到45亿美元，2023-2028 年间的复合年均增长率（CAGR）为17.4%。

公司的VCSEL芯片是长光华芯横向拓展中重要的发展方向，现在主要有三方面应用：

1、消费电子，主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域；公司将于下一阶段在3D传感领域形成规模销售；

2、光通信，短距离传输，应用于数据中心；

3、车载激光雷达芯片，已通过车规IATF16949和AECQ认证。公司已成为汽车厂商合规可靠的车载激光雷达芯片供应商。

除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550 nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。

随着VCSEL自身技术的不断发展，以及与其他技术的结合使用，未来VCSEL将迎来更多的新兴应用，比如用于眼动追踪、速度监测、PM2.5空气质量监测等。

进入高端光通信领域，光通信产品实现量产

长光华芯的单波100G EML (56GBd EML通过PAM4调制)和50G VCSEL（25G VCSEL 通过 PAM4 调制）实现量产。公司光通信产品为当前400G/800G 超算数据中心互连光模块的核心器件。AI驱动高速光模块需求快速释放，根据Omdia数据，2025年高速光通信芯片市场规模有望达到43.40亿美元。

塑料激光穿透焊接领域新进展

依托完整的垂直产业链平台，长光华芯使用完全自制的芯片，在国内率先推出完全自主的1710nm直接半导体激光器，主要用于1 mm以下透明/白色塑料的激光穿透焊。1710nm波长的激光在透明/白色塑料的吸收率上，会高出比它更短波长的激光的几倍至10倍，能完美的把透明塑料元件焊接在一起，使用更灵活、 焊接更美观。

目前已在客户端批量应用，在产品的性能及性价比上得到了市场的较好回馈。

激光无线能量传输芯片引领科技前沿

激光无线能量传输技术具有高能量密度和远距离传输优势。可以为在轨卫星、无人机、移动终端等装备持续供电/补电，拥有广阔的应用前景。

上半年，长光华芯研究团队发布了全半导体激光无线能量传输芯片及系统的最新 成果，包括808 nm和1 μm的发射端激光芯片及模块、接收端单/多结激光电池芯片及模块、激光无线传能系统。

2023年4月19日，公司CTO王俊博士做了相关学术报告 《Semiconductor laser and power converter for optical wireless power transmission》，该报告为国内外首次报告全半导体全自主全链路的激光无线能量传输芯片。

横向拓展氮化镓方向，进军可见光领域

全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础，并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。

第三代半导体材料（宽禁带半导体）氮化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。

氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，蓝光和绿光波段 的 GaN 激光器产品，已经在激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电视，XR 微投影）、激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有广泛应用，总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。

参考 Market and Market 、Yole 等机构的增长幅度测算，预计到2026年全球氮化镓元件市场规模将增长到423亿美元，年均复合增长率约为 13.5%。

镓锐芯光团队是国内最早从事氮化镓基激光器研究的团队，曾先后攻破关键核心技术，研制出国内首颗氮化镓基蓝光和绿光激光器芯片，填补国内在氮化镓的蓝绿光激光2023年半年度报告19 / 183器领域的空白，研发成果和技术水平国内领先、国际一流。目前该公司研制的绿光激光器光功率已达1.2W，处于国际先进水平。大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，达到国际一流水平。相关产品已进入可靠性验证阶段，明年一季度可向市场推出产品。