据国家知识产权局公告，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法“，公开号CN117154531A，申请日期为2022年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法。其中包括衬底和依次生长在衬底之上的多个功能层，具体的：激光器的脊波导位于其出光的轴向上，在脊波导的两侧沟道中分别设置贯穿所有功能层直至联通至衬底的第一隔热凹槽，且脊波导下方的至少一个功能层被挖空形成空洞隔温区域；其中，所述空洞隔热区域是通过在脊柱两侧刻蚀出至少一对第二隔热凹槽之后，腐蚀穿一对第二隔热凹槽之间的至少一个功能层形成；并且，所述空洞隔热区域的两侧与所述第一隔热凹槽相邻。本发明避免了芯片内部的热量散失，提高芯片的隔温效果和芯片的热调谐效率。