据“势能资本”官微消息,芯辰半导体(苏州)有限公司(下文简称“芯辰半导体”)外延设备已于近日投产,覆盖砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)光芯片四元化合物全材料体系。
据介绍,芯辰半导体目前已实现波长范围760nm~1700nm外延片的量产,外延均匀性为激射中心波长外2nm之内。其中典型波长的激光芯片外延片,如808、850、905、940、1064、1550、1654nm,已在自主产线实现VCSEL或DFB芯片验证。
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激光制造网 来源:功率半导体技术实验室2024-12-18 我要评论(0 )
据“势能资本”官微消息,芯辰半导体(苏州)有限公司(下文简称“芯辰半导体”)外延设备已于近日投产,覆盖砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)光芯片四元化合物全材料体系...
据“势能资本”官微消息,芯辰半导体(苏州)有限公司(下文简称“芯辰半导体”)外延设备已于近日投产,覆盖砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)光芯片四元化合物全材料体系。
据介绍,芯辰半导体目前已实现波长范围760nm~1700nm外延片的量产,外延均匀性为激射中心波长外2nm之内。其中典型波长的激光芯片外延片,如808、850、905、940、1064、1550、1654nm,已在自主产线实现VCSEL或DFB芯片验证。
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