在科学研究中，电光Q开关驱动源因其具有开关速度快、开关彻底和口径大等优点，在调Q型激光器研究领域中得到广泛的应用；在工业应用中，电光Q开关驱动源在立体平板印刷术和硬盘电阻微调、存储修复、通孔打钻、印刷电路板制作、晶片雕刻和做标记等方面也得到了广泛的应用。随着研究的深入和技术的发展，人们对电光Q开关驱动源的工作频率要求越来越高。高重复电光Q开关是高重复激光器的关键部件，研究其驱动源，对高重复激光技术的发展具有重要意义。此外，在高速摄影系统、光调制以及各种工业应用中，也需要工作频率在兆赫兹的高重复电光Q开关。经查阅国内外资料，可知目前国内研制的电光Q开关的最高频率为25 kHz，工作电压较低，且技术不成熟，国外最高频率可达1MHz，但是脉冲电压仅为l kv。所以，50kHz／3kV的Q开关驱动源技术研究逐渐成为了目前国内外的研究热点。
       在以往研制的电光Q开关驱动源中，最高工作频率lkHz、工作电压1 kV～5 kV、脉冲前沿30ns脉冲宽度l00ns，由于脉冲形成级的开关管功率和频响所限，再往上做困难很大。随着科学技术的发展，几百伏到一千伏快速的开关管种类很多，但三千伏的快速开关管很少。国外研制的Q开关驱动源中开关管，采用的是多个快速MOSFET管串联形成的，它对管子的稳定性、分散性(Ins左右)、频率响应(GHz)和同步性要求很高，类似这种参数的管子国内很难买到，国内一般研制的Q开关驱动源中开关管采用多个快速MOSFET管串联，但由于稳定性、分散性(10ns左右)、频率响应(200MHz)和同步性较低，该电源指标只能做到脉冲前沿在30ns左右、平顶宽度大于lOOns、重复频25kHz，很难达到现阶段高重复激光器的发展需求。