近日，SiFotonics宣布公司首款应用于10Gbps光通信系统的硅基纯锗探测器PD1503进入大规模量产阶段，该产品在性能上完全达到了传统III-V族材料光探测器水平（如GaAs、InGaAs 材料）。

　　全球光通信市场产品采用传统III-V族材料光探测器产品已有数十年历史，而硅锗光探测器技术在业内近十年却备受关注，因其可以使用成熟的CMOS技术生产，在成本、良率、一致性、产能与传统III-V材料比较有着天然的优势，对未来低成本的光通信网络发展起到非常重要的推动作用，但由于纯锗材料在硅片衬底上的生长技术条件限制，却长期处于实验室研究阶段；SiFotonics公司经过多年的研发与技术攻关，克服了锗硅光探测器制成的诸多技术难题，目前已经将PD1503 10Gbps光探测器的各项性能参数提高到同类产品水平，同时具备低成本，多波长响应的特点。

　　PD1503目前已通过了常规可靠性测试，对1310nm波段，灵敏度达到-19.0dBm以上（ER:10.3dB; BER:10-12）。同时从850nm到1550nm的光通信全波段都有很高响应。由于利用先进、成熟的CMOS工艺生产，PD1503具备低成本、高产量、高一致性、高可靠性、高良品率、无需气密封装等特点。
       该产品可以提供单通道PD、1X4 PD阵列、1X12 PD阵列等多种形式样品，将会很快进入10G速率的850nm~1550nm波长等多种光通信应用市场