半导体激光器专家德国DILAS 近日最新推出一款高占空比垂直叠阵，该器件可以应用于长脉冲和高占空比的脱毛或高能量应用。波长为808nm, 脉宽为2ms ，2%占空比时， 单BAR 输出功率可达200W；波长为940nm, 脉宽为2ms ，2%占空比时， 单阵列输出功率可达300W。 在脉宽75ms, 高占空比 20%时, 808nm 单阵列峰值功率为60W；在脉宽75ms, 高占空比 20%时, 940nm 单BAR 峰值功率为175W。
    这些结构完全由采用AuSn 硬焊料技术焊接而成的垂直叠阵所组成，专为少冷却液容量的运行而特别设计，适合医疗与高能量激光这类要求设备外型小但脉冲能量强的应用。
    这些宏通道冷却的垂直叠阵最高可集成8 个阵列，最大占空比达20%时，波长为808nm, 输出功率为每阵列60W。 运用于脱毛的模块，波长940nm，能提供75 毫秒的脉宽，输出峰值功率为每阵列175W， 。在最苛刻的环境下，我们突出的封装技术以及高精度的光学装置能将快轴叠阵发散弧度控制在低于±3mrad (FWHM)，使您的操作更为精准。各种波长可根据客户需求进行定制。