(1)808 nm InGaAsP无铝大功率激光器

    美国相干公司的半导体研究所研制了一种无铝激光器，其准连续波功率为50W，工作温度高达75℃。在峰值功率为55W时测量，经109次400 s脉冲后其功率衰减＜9%。峰值功率为60 W时，占空比为30%，激光器的半最大值全宽（FWHM）为2.2 nm。此无铝激光器还具有抗暗线和污斑缺陷、抗断裂、抗衰变和抗氧化等能力。保持高电光转换的InGaAsP激光器棒具有窄线宽发射，低光束发散等特性，适用于航空电子学中作二极管泵浦固体平板激光器，医学和工业等领域。

    (2)具有小的垂直束发散角的808 nm 大功率激光器

    半导体激光器发射时一般在平面垂线到外延层间存在大的发散束，这种发散是因为在有源层附近的上百个纳米区存在很强的光场限制，降低了最大输出功率，并且由于高的光强而对体半导体或面半导体造成灾变性光学损伤（COD）。

    德国采用将高折射率层插入两层包层之间的方法，减少光束发散和光场限制，提高了半导体激光器的可用性，增强了光输出功率。阈值电流密度为280 A/cm2，转换效率接近50%，输出功率达2W。

    垂直腔面发射激光器
 
    VCSEL(垂直腔面发射激光器)及其阵列是一种新型半导体激光器，它是光子学器件在集成化方面的重大突破，它与侧面发光的端面发射激光器在结构上有着很大的不同。端面发射激光器的出射光垂直于晶片的解理平面；与此相反，VCSEL的发光束垂直于晶片表面。它优于端面发射激光器的表现在：

    ●易于实现二维平面和光电集成；

    ●圆形光束易于实现与光纤的有效耦合；

    ●有源区尺寸极小，可实现高封装密度和低阈值电流；

    ●芯片生长后无须解理、封装即可进行在片实验；

    ●在很宽的温度和电流范围内都以单纵模工作；

    ●价格低。

    (1)结构

    (2)衬底的选择

    硅上VCSEL

    在硅（Si）上制作的VCSEL还不曾实现室温连续波工作。这是由于将AlAs/GaAs DFB直接生长在Si上，其界面不平整所致，使DFB的反射率较低。 日本Toyohashi大学的研究者由于在GaAs/Si异质界面处引入多层（GaAs）m（GaP）n应变短周期超晶格（SSPS）结构而降低了GaAs-on-Si异质结外延层的螺位错密度。

    蓝宝石上VCSEL

    美国南方加利福利亚大学的光子技术中心为使底部发射850nm VCSEL发射的光穿过 衬底，采用晶片键合工艺将VCSEL结构从吸收光的GaAs衬底移开，转移到透明的蓝宝石衬底上，提高了wall-plug效率，最大值达到25%。