引言

　　传统硅晶片的切割方法主要是金刚石锯，偶尔也使用划线折断工艺，这种方法只能切割直线，并且边缘具有较严重的裂痕，或者使用倍频的铁合金激光器，这种方法和微喷工艺，一样都操作昂贵，速度缓慢。最近SPI开发了一种光纤激光器切割工艺，该工艺能在较快的切割速度下，仍然具有极好的切割质量。

图1 太阳能电池板

　　结果

　　使用200W连续光纤激光器对200μm（0.008”）厚度的多晶硅进行切割时，切割速度可达10m/min，并且可得到高度平滑的切割边缘，没有任何裂缝的痕迹。可以做到和侧面平行、无任何边缘碎裂痕迹的40微米的切口宽度。甚至在1.2mm厚度（0.005”）,切割速度也可超过1m/min。这个比现存的所有其他硅切割技术都要快。

　　下表展现了光纤激光器切割硅的能力。