近日，由中国科学院上海硅酸盐所中试基地氧化碲组葛增伟、朱勇等人发明的“一种高纯二氧化碲单晶及其制备方法”（High-purity Tellurium Dioxide Single Crystal and the Manufacturing Method Thereof)正式获得美国专利商标局授予的专利授权（美国专利号：US 8480996 B2）。

      该专利采用二次晶体生长制备方法获得高纯度二氧化碲单晶，尤其是U、Th等放射性杂质含量可降低至10-13g/g，因而使得上海硅酸盐所成为大型中微子探测项目（CUORE项目）所需核心探测材料的全球唯一供应商。目前，上海硅酸盐所中试基地氧化碲组已向CUORE项目提供1000多块高纯二氧化碲单晶，实现创汇500多万美元。高纯二氧化碲单晶作为一种大尺寸优质二氧化碲单晶新产品，先后于2010年和2011年获得上海市和国家重点新产品计划资助，取得了良好的社会效益和经济效益。