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半导体激光器

首个直接兼容硅晶片的锗锡半导体激光器

来源:中国光电网2015-03-12 我要评论(0 )   

  来自尤里希旗下皮特格林贝格研究所(PGI-9)和保罗谢勒研究所(Paul Scherrer Institute)的科学家们已经用锗和锡制成了实验用的

   来自尤里希旗下“皮特格林贝格研究所”(PGI-9)和“保罗谢勒研究所”(Paul Scherrer Institute)的科学家们已经用锗和锡制成了实验用的附件,并且在硅晶片上进行了测试。

  保罗谢勒研究所在测定之后发现,锗锡化合物可以同时产生和放大激光信号,而且锡元素对这种新设备的光学性能显得非常重要。PGI-9博士生Stephen Wirths补充道:“高含锡量决定了它的光学性能,这是我们首次在晶格中掺入了超过10%的锡而没有损失其光学品质”。

  目前电子系统中所使用的半导体激光器,主要由元素周期表中的第三族或第五族元素所组成,比如砷化镓。也正因为如此,由这些材料制成的激光器无法与其它硅基半导体装置直接兼容(不仅困难,而且费力)。此外,由于其连接材料拥有不同的系数,装置的使用寿命也会有所降低。PGI-9博士Dan Buca表示:“这款激光装置可以在有史以来的最低温下工作(零下183摄氏度/零下297.4华氏度)”。相信这款测试系统在优化之后,还会带来更加优异的性能表现。

  此外,同步电路的时钟信号可使用高达30%的能量,这样可以在光传输过程中节省大量能量。

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半导体激光器激光信号
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