转载请注明出处。
激光器
与CMOS工艺兼容的硅基锗锡激光器
星之球激光 来源:国防科技信息网2015-11-27 我要评论(0 )
德国于利希研究中心领导、由一些欧洲研究结构和大学组成的研究小组,将会在2015IEEE国际电子器件会议上(该会议将于12月7日至9日在华盛顿召开)发布硅基直接带隙锗锡微...
德国于利希研究中心领导、由一些欧洲研究结构和大学组成的研究小组,将会在2015IEEE国际电子器件会议上(该会议将于12月7日至9日在华盛顿召开)发布硅基直接带隙锗锡微腔激光器,该激光器的激射波长为2.5um,输出功率为221KW/cm2。
该激光器采用厚度为560nm且生长在锗缓冲层/硅衬底上的锗锡外延材料,由标准的CMOS兼容工艺制造,并单片集成在硅平台上。激光器的激射归功于应变引起的直接带隙外延层和微腔结构。这个研究工作克服了光子集成中CMOS工艺兼容的光源制备这一大难点,是硅光子集成的一个重要步骤。
该激光器的制备工艺如下:外延生长后,采用干法刻蚀刻出微腔结构,然后用四氟化碳等离子体刻蚀出底部支柱,再淀积三氧化二铝作为钝化层。在这个过程中,微腔边缘的应力释放有助于提高激光器性能。
免责声明
① 凡本网未注明其他出处的作品,版权均属于激光制造网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。获本网授权使用作品的,应在授权范围内使
用,并注明"来源:激光制造网”。违反上述声明者,本网将追究其相关责任。
② 凡本网注明其他来源的作品及图片,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本媒赞同其观点和对其真实性负责,版权归原作者所有,如有侵权请联系我们删除。
③ 任何单位或个人认为本网内容可能涉嫌侵犯其合法权益,请及时向本网提出书面权利通知,并提供身份证明、权属证明、具体链接(URL)及详细侵权情况证明。本网在收到上述法律文件后,将会依法尽快移除相关涉嫌侵权的内容。
相关文章
网友点评
0 条相关评论
热门资讯
精彩导读
关注我们
关注微信公众号,获取更多服务与精彩内容