日本Phoeton公司SiC半导体用激光退火装置。该装置设想用于背面电极中采用的金属层的欧姆（Ohmic）化。据Phoeton介绍，该公司预定在2011年2月提供首台SiC半导体用激光退火装置。另外，还预定在2012年开始供货定位为 “量产机型”的装置。

Phoeton公司拥有从2009年就开始供货硅半导体用激光退火装置的业绩。这是一种IGBT等纵型构造元件的制造工艺中所需要的、用于使晶圆背面实现活性化的装置。利用通过该装置积累的经验，Phoeton此次开发出了SiC半导体专用装置。

Phoeton公司表示，硅半导体用途是对整个晶圆进行退火，而SiC半导体用途则要求“对晶圆的一部分进行局部退火”。而原来硅半导体专用装置的激光照射方法无法满足该要求，因而Phoeton对激光照射方法进行了全面改进。

硅半导体专用装置在圆盘状的大工作台上沿圆周方向排列多个硅晶圆，在高速转动该工作台的同时照射激光。然后从工作台的圆周侧开始#p#分页标题#e#,以直径约为 100μm的激光光斑（Laser Spot）为中心进行扫描，从而对整个硅晶圆进行退火。而此次推出的SiC半导体专用装置无需转动SiC晶圆，而是采用Galvano光学扫瞄仪来扫描激光束。据Phoeton公司介绍，采用该方法可以对晶圆的一部分进行局部激光照射。

据介绍，在采用此次装置实现欧姆化时，可以实现10-4～10-6Ωcm2的接触电阻值。吞吐量方面，在150mm晶圆中采用NiSi形成欧姆电极时为5张/小时。支持的最大晶圆尺寸为150mm。还支持从晶圆上裁切下来的小片基板。支持的晶圆厚度在100μm以上。