2 LED光学特性
发光二极管有红外(非可见)与可见光两个系列,前者可用辐射度,后者可用光度学来量度其光学特性。
2.1 发光法向光强及其角分布Iθ
2.1.1 发光强度(法向光强)是表征发光器件发光强弱的重要性能。LED大量应用要求是圆柱、圆球封装,由于凸透镜的作用,故都具有很强指向性:位于法向方向光强最大,其与水平面交角为90°。当偏离正法向不同θ角度,光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。
2.1.2 发光强度的角分布Iθ是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。它主要取决于封装的工艺(包括支架、模粒头、环氧树脂中添加散射剂与否)
⑴为获得高指向性的角分布
①LED管芯位置离模粒头远些;
②使用圆锥状(子弹头)的模粒头;
③封装的环氧树脂中勿加散射剂。
采取上述措施可使LED2θ1/2=6°左右,大大提高了指向性。
⑵当前几种常用封装的散射角(2θ1/2角)圆形LED:5°、10°、30°、45°
2.2 发光峰值波长及其光谱分布
⑴LED发光强度或光功率输出随着波长变化而不同,绘成一条分布曲线--光谱分布曲线。当此曲线确定之后,器件的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。
LED的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及pn结结构(外延层厚度、掺杂杂质)等有关,而与器件的几何形状、封装方式无关。
下图绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得LED光谱响应曲线。其中LED光谱分布曲线
1蓝光InGaN/GaN2绿光GaP:N3红光GaP:Zn-O#p#分页标题#e#
4红外GaAs5Si光敏光电管6标准钨丝灯
①是蓝色InGaN/GaN发光二极管,发光谱峰λp=460~465nm;
②是绿色GaP:N的LED,发光谱峰λp=550nm;
③是红色GaP:Zn-O的LED,发光谱峰λp=680~700nm;
④是红外LED使用GaAs材料,发光谱峰λp=910nm;
⑤是Si光电二极管,通常作光电接收用。
由图可见,无论什么材料制成的LED,都有一个相对光强度最强处(光输出最大),与之相对应有一个波长,此波长叫峰值波长,用λp表示。只有单色光才有λp波长。
⑵谱线宽度:在LED谱线的峰值两侧±△λ处,存在两个光强等于峰值(最大光强度)一半的点,此两点分别对应λp-△λ,λp+△λ之间宽度叫谱线宽度,也称半功率宽度或半高宽度。
半高宽度反映谱线宽窄,即LED单色性的参数,LED半宽小于40nm。
⑶主波长:有的LED发光不单是单一色,即不仅有一个峰值波长;甚至有多个峰值,并非单色光。为此描述LED色度特性而引入主波长。主波长就是人眼所能观察到的,由LED发出主要单色光的波长。单色性越好,则λp也就是主波长。
如GaP材料可发出多个峰值波长,而主波长只有一个,它会随着LED长期工作,结温升高而主波长偏向长波。
2.3 光通量
光通量F是表征LED总光输出的辐射能量,它标志器件的性能优劣。F为LED向各个方向发光的能量之和,它与工作电流直接有关。随着电流增加,LED光通量随之增大。可见光LED的光通量单位为流明(lm)。
LED向外辐射的功率--光通量与芯片材料、封装工艺水平及外加恒流源大小有关。目前单色LED的光通量最大约1lm,白光LED的F≈1.5~1.8lm(小芯片),对于1mm×1mm的功率级芯片制成白光LED,其F=18lm。
2.4 发光效率和视觉灵敏度
①LED效率有内部效率(pn结附近由电能转化成光能的效率)与外部效率(辐射到外部的效率)。前者只是用来分析和评价芯片优劣的特性。#p#分页标题#e#
LED光电最重要的特性是用辐射出光能量(发光量)与输入电能之比,即发光效率。
②视觉灵敏度是使用照明与光度学中一些参量。人的视觉灵敏度在λ=555nm处有一个最大值680lm/w。若视觉灵敏度记为Kλ,则发光能量P与可见光通量F之间关系为P=∫Pλdλ;F=∫KλPλdλ
③发光效率--量子效率η=发射的光子数/pn结载流子数=(e/hcI)∫λPλdλ
若输入能量为W=UI,则发光能量效率ηP=P/W
若光子能量hc=ev,则η≈ηP,则总光通F=(F/P)P=KηPW式中K=F/P
④流明效率:LED的光通量F/外加耗电功率W=KηP
它是评价具有外封装LED特性,LED的流明效率高指在同样外加电流下辐射可见光的能量较大,故也叫可见光发光效率。
以下列出几种常见LED流明效率(可见光发光效率):
LED发光颜色λp(nm)材料可见光发光效率(lm/w)外量子效率
最高值平均值
红光700660650GaP:Zn-OGaAlAsGaAsP2.40.270.38120.50.51~30.30.2
黄光590GaP:N-N0.450.1
绿光555GaP:N4.20.70.015~0.15
蓝光465GaN10
白光谱带GaN+YAG小芯片1.6,大芯片18
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