制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圆）的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸（100mm）的产品，6英寸（150mm）产品的结晶缺陷也越来越少。

美国Cree在SiC基片市场上占有较高份额，从该公司在SiC国际学会“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日于日本宫崎县举行）上发表的内容来看，截至2013年，功率元件用6英寸产品的微管密度在1个/cm2以下，平均水平为0.5个/cm2左右，较好时可达到0.01个/cm2。据估算，采用这种高品质6英寸基片制作10mm见方的功率元件时，合格率高达98.7％。

科锐以直径为4英寸的基片为例，展示了其基底面位错（BPD）的密度。据科锐介绍，4英寸基片的基底面位错密度为56个/cm2。在基片内17％的范围里，基底面位错为0个，在78％的范围里不到5个。

据悉，在基底面位错密度为56个/cm2的4英寸基片上层叠厚度为60μm的外延层时，基底面位错的密度会降至2个/cm2。

另外，与原来相比，还可以减少功率元件用SiC基片的贯通螺旋位错（TSD）密度。以前裸基片和外延基片（层叠外延层的基片）的贯通螺旋位错密度分别为955个/cm2和837个/cm2，现在分降至447个/cm2和429个/cm2，减少了约一半。

不仅是功率元件用SiC基片，科锐还在从事LED用和高频元件用SiC基片业务。LED用基片方面，6英寸产品的结晶缺陷密度在2010年为8个/cm2，到2013年已经低于2个/cm2。

高频元件用基片方面，6英寸产品的微管密度目前为0.14个/cm2。这个水平在制作7mm见方的高频元件时可实现96.3％的成品率。