堺显示器产品公司（SDP）在使用全球最大尺寸（2880mm×3130mm）玻璃基板的该公司第10代液晶工厂，成功试制了低温多晶硅（LTPS）TFT液晶面板。该公司在日前举行的显示器学会“SID 2016”的开发人员见面会上首次公开了试制品（发表序号：67.1）。据介绍，这是在堺工厂制作的第一款低温多晶硅TFT液晶面板，屏幕尺寸为19.5英寸，像素数为4K（3840×2160），精细度为226ppi。
SDP计划2017年初开始制造采用该技术的栅极驱动电路一体型8K高精细（326ppi）液晶面板。此次发布的LTPS技术设想在堺的第10代工厂导入，用于量产8K等大型高精细液晶电视和大型有机EL电视使用的面板。据介绍，从现有的非晶硅TFT工厂进行转换所需的追加投资成本较少，还有望实现高生产效率。追加投资成本只有向采用以往技术的LTPS TFT生产线转换时的1/9，向IGZO TFT生产线转换时的1/2。
那么，为何采用LTPS呢？原因是，与现在的大型面板使用的非晶硅TFT相比，LTPS TFT的载流子迁移率高，容易驱动8K等高精细液晶面板和元件通电的有机EL面板。不过，LTPS此前只被用于利用第6代以下基板制造的中小型面板。原因在于制造装置。LTPS是通过向大型液晶面板使用的非晶硅膜照射激光进行退火，使熔化的硅重新结晶制作而成的。但以往的激光退火技术没有支持第10代大型玻璃基板的装置，最多只能支持第6代基板。
因此，SDP导入了能支持第10代大型玻璃基板的全新激光退火技术，也就是能够精密地局部照射激光的局部激光退火技术。该公司把利用该技术制作的多晶硅称为“PLAS（Partial Laser Anneal Silicon）”。现在的LTPS工厂都是采用通过光束线对整面基板进行退火的准分子激光退火技术。
局部激光退火技术的特点是，无需像以往技术那样向整面基板照射激光，因此激光退火工序的处理时间可以缩短一位数。另外，以往的LTPS采用顶栅结构，而采用局部激光退火技术的LTPS可以直接使用非晶硅TFT的底栅结构。而且无需导入像IGZO那样的新材料。因此，堺第10代工厂等非晶硅TFT生产线实现“LTPS化”时，优点是追加的成膜工序、光刻工序以及相应的制造装置比较少。
利用局部激光退火技术制作的LTPS TFT的载流子迁移率远远高于非晶硅，与IGZO为同等水平。利用第2.5代试产线制作的TFT的载流子迁移率为28.1cm2。
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