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半导体/PCB
台积备战3nm全靠极紫外光(EUV)光刻设备
星之球科技 来源:中国半导体论坛2017-08-23 我要评论(0 )
极紫外光(EUV)微影设备无疑是半导体制程推向3nm的重大利器。 这项每台要价高达逾近亿美元的尖端设备,由荷商ASML独家生产供应
极紫外光(EUV)微影设备无疑是半导体制程推向3nm的重大利器。 这项每台要价高达逾近亿美元的尖端设备,由荷商ASML独家生产供应,目前主要买家全球仅台积电、三星、英特尔及格罗方德等大厂为主。
EUV设备卖价极高,原因是开发成本高,因此早期ASML为了分摊开发风险,还特别邀请台积电、三星和英特尔三大厂入股,但随着开发完成,台积电后来全数出脱艾司摩尔股票,也获利丰硕。
有别于过去半导体采用浸润式曝光机,是在光源与晶圆中间加入水的原理,使波长缩短到193/132nm的微影技术,EUV微影设备是利用波长极短的紫外线,在硅晶圆上刻出更微细的电路图案。
ASML目前EUV年产能为12台,预定明年扩增至24台。 该公司宣布2017年的订单已全数到手,且连同先前一、二台产品,已出货超过20台;2018年的订单也陆续到手,推升ASML第2季营收达到21亿欧元单季新高,季增21%,每股纯益1.08欧元,股价也写下历史新高。
因设备昂贵,且多应用在7nm以下制程,因此目前有能力采购者,以三星、台积电、英特尔和格罗方德为主要买家。 三星目前也是最大买主,估计采购逾十台,将装设于南韩华城的18号生产线(Line 18)全力抢占晶圆代工版图。
由于极紫外光可大幅降低晶圆制造的光罩数,缩短芯片制程流程,是晶圆制造迈入更先进的利器。
在三星决定7nm率先导入EUV后,让EUV输出率获得快速提升,台积电决定在7nm强化版提供客户设计定案,5nm才决定全数导入。
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