迁移率是半导体性能的关键参数，它与电子在物质内部移动的速度和容易程度有关。现在，研究人员已经实现了有报道的二氧化锡薄膜中最高的迁移率。这种高迁移率可使工程师制造出薄而透明的二氧化锡半导体，以用于下一代LED灯，光伏太阳能电池板或触摸显示技术。

锡和氧可以通过某种方式结合成二氧化锡，这种物质可以制成半导体。半导体是计算机芯片、太阳能电池板等的基础。自1960年代以来，二氧化锡已用于工业应用，包括气体传感器和太阳能设备的透明电极等。这种材料由于具有很高的迁移率而适合于这些应用。对于大多数应用来说，迁移率越高越好。然而，直到现在，氧化锡的高迁移率仅在大块晶体中才有。

东京大学化学系研究人员中尾昌一郎Shoichiro Nakao说：“我们证明了在氧化锡薄膜中具有最高的迁移率。提高的迁移率不仅可以提高材料的导电性，而且还可以提高材料的透明度。通常，透明性和导电性不能在一种材料中共存。典型的透明材料（例如玻璃或塑料）是绝缘的，而导电材料（如金属）是不透明的。很少有材料具有透明的导电性！”

半导体越透明，可以通过的光越多。Nakao和他的团队制造了一种氧化锡薄膜，该薄膜可以使可见光和近红外光通过。这对光伏太阳能电池板的功率转换效率有很大好处，同时也可以应用于其他用途，如增强的触摸屏显示器（具有更高的准确性和响应速度）或更高效的LED灯。

Nakao说：“我们的生产方法是制造具有这些特性的物质的关键。我们使用了高度聚焦的激光来蒸发纯二氧化锡颗粒，并按照我们想要的方式沉积或生长材料。这一过程使我们能够探索不同的生长条件以及如何掺入其他物质。这意味着我们可以赋予二氧化锡半导体以高迁移率和有用的功能。”

论文标题为《High mobility approaching the intrinsic limit in Ta-doped SnO2 films epitaxially grown on TiO2 (001) substrates》。